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ISO1050DUBR现货直供亿配芯城 - 高效CAN隔离,工业级稳定之选 在现代工业自动化、汽车电子和能源系统中,控制器局域网(CAN)总线因其高可靠性和实时性而成为不可或缺的通信骨干。然而,复杂的电气环境常常伴随着高压、噪声和地电位差,这对通信的稳定性和设备安全构成了严峻挑战。德州仪器(TI)推出的ISO1050DUBR 正是一款专为解决此类问题而生的高性能CAN隔离收发器,为工程师提供了可靠、高效的解决方案。 芯片核心性能参数 ISO1050DUBR集成了多种卓越特性,确保其在严苛环境中
IRLML6402TRPBF现货特供亿配芯城 - 高效MOSFET解决方案即日发货 在电子元器件领域,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键的功率开关器件,广泛应用于各种电路设计中。其中,IRLML6402TRPBF 是一款备受青睐的P沟道MOSFET,以其高效能和可靠性著称。目前,亿配芯城 提供该型号的现货特供,确保客户能够即日发货,快速满足生产需求。本文将详细介绍IRLML6402TRPBF的性能参数、应用领域以及相关技术方案,帮助读者全面了解这一高效解决方案。 芯片性能参数
IRLML6401TRPBF现货特供亿配芯城 急速发货P沟道MOSFET解决方案 在现代电子设备设计中,高效、可靠的功率管理至关重要。IRLML6401TRPBF作为一款高性能P沟道MOSFET,以其优异的性能和紧凑的封装,成为众多应用中的理想选择。亿配芯城现提供该型号现货特供,并支持急速发货,助力客户快速推进项目。 芯片性能参数 IRLML6401TRPBF是一款P沟道增强型MOSFET,采用先进的半导体工艺制造,具备卓越的电气特性: - 低导通电阻:在VGS = -4.5V条件下,RDS(
IRLML2502TRPBF现货特供亿配芯城 - 高效MOSFET解决方案助力您的项目 在当今的电子项目开发中,高效、可靠的功率管理是决定产品成败的关键因素之一。英飞凌(Infineon)推出的 IRLML2502TRPBF MOSFET,正是一款以其卓越性能而广受青睐的功率器件。亿配芯城作为可靠的电子元器件采购平台,现为您提供此型号的充足现货,助您的项目高效推进。 一、 核心性能参数:小体积,大能量 IRLML2502TRPBF是一款P-Channel沟道增强型MOSFET,采用先进的HEX
性能参数 IRF640NPBF是一款经典的N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装设计,具备优异的电气特性。其最大漏源电压(VDS)为200V,可承受高电压工作环境;连续漏极电流(ID)高达18A,支持大电流应用场景。此外,该器件的导通电阻(RDS(on))低至0.15Ω,能有效减少功率损耗,提升整体效率。其输入电容较小,开关速度快,适用于高频开关电路,同时具备强抗冲击能力和稳定的热性能,工作温度范围覆盖-55°C至+175°C。 应用领域 IRF640NPBF广泛应用于工业控制、汽车电子
IRF4905STRLPBF现货秒发!亿配芯城专供低至“芯”动价 在电子元器件采购领域,效率与成本始终是工程师和采购人员关注的核心。如今,IRF4905STRLPBF MOSFET 作为一款性能优异的功率器件,正通过亿配芯城的专供渠道,以极具竞争力的“芯”动价和现货秒发的服务优势,为各类电子项目提供强力支持。 芯片性能参数 IRF4905STRLPBF是一款P沟道增强型MOSFET,采用先进的工艺技术制造,具备出色的电气特性: - 电压与电流规格:-55V的额定漏源电压(Vds) 和 -74A
IRF3205PBF:高性能功率MOSFET,上亿配芯城现货直发 在现代电子设备中,功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着关键角色,负责高效的能量转换和功率控制。IRF3205PBF作为一款广受欢迎的功率MOSFET芯片,以其卓越的性能和可靠性,在众多应用领域中脱颖而出。本文将详细介绍IRF3205PBF的性能参数、应用领域以及相关技术方案,帮助您全面了解这款芯片的优势。 芯片性能参数 IRF3205PBF是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的半导体技术设计,具备以下关键性能
在现代电子设备对电源效率和功率密度要求日益严苛的背景下,一颗高性能、高可靠性的电源管理芯片至关重要。IR3897MTRPBF 正是这样一款能够满足高端需求的同步降压稳压器控制芯片,以其卓越的性能成为高效电源方案的核心。 性能参数亮点 IR3897MTRPBF 是一款高度集成的电源管理IC,其核心性能参数十分亮眼: 宽输入电压范围:支持 4.5V 至 16V 的输入,使其能广泛应用于多种总线电压场景。 高开关频率:工作频率最高可达 1.5MHz,这不仅允许使用更小体积的电感和电容,有效缩小了电源
--- IQP7M9103现货速发|亿配芯城原装正品,工程师首选! 在当今高速发展的电子领域,选择一款性能卓越、稳定可靠的功率器件对于项目成功至关重要。IQP7M9103作为一款备受市场青睐的高性能MOSFET,凭借其出色的参数和广泛的应用适应性,已成为众多工程师设计中的核心选择。本文将为您详细解析这款芯片的强大之处。 芯片性能参数亮点 IQP7M9103是一款N沟道增强型功率场效应晶体管,其核心参数决定了它的高性能表现: 优异的低导通电阻:其 RDS(ON) 值极低,这意味着在导通状态下,芯
IPS60403DBVR:一款高效可靠的P沟道功率MOSFET 在当今的电子电路设计中,高效、紧凑的功率开关器件是提升系统性能与可靠性的关键。IPS60403DBVR 正是一款在这样的需求下脱颖而出的优秀元器件,它以其卓越的性能和坚固的特性,成为了众多工程师的首选。本文将详细介绍这款芯片的性能参数、应用领域及相关技术方案。 核心性能参数解析 IPS60403DBVR是一款由STMicroelectronics生产的P沟道增强型功率MOSFET,采用小巧的SOT-23-5封装,非常适合空间受限的