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标题：IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1M功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1M功率半导体IGBT是一款650V 18A 50W的TO220封装的IGBT。这款高性能的功率半导体器件以其卓越的性能和可靠性，在电力电子应用中发挥着至关重要的作用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP20N65C3D1M功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用了先进的生产工艺，具有高耐压、大电流、高速开关等特性。其内部结构采用了一个N-MOS和P-MOS的