功率mos管为何会被烧毁？看完秒懂！
2024-10-02mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压
标题：IXYS艾赛斯IXGH60N60C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXGH60N60C3D1功率半导体IGBT是一款高效、可靠的600V 75A 380W的功率半导体器件。这款器件以其出色的性能和广泛的应用领域，在电力电子系统中发挥着重要的作用。 首先，我们来了解一下这款IGBT的基本技术原理。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型电力电子器件，具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小等优点。IXGH60N60C3D
标题：Infineon(IR) IKZA50N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA50N120CH7XKSA1功率半导体器件，以其卓越的性能和可靠性，成为了工业14领域中的重要一员。 IKZA50N120CH7XKSA1是一款高性能的N-MOS晶体管，具有高耐压、大电流、高开关速度等特点。它适用于各种工业应用场景，如马达驱动、电源转换、开关电源等。此外，该器件
标题：IXYS艾赛斯IXBT6N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBT6N170功率半导体IGBT是一种重要的功率电子元件，其技术特点和方案应用在许多领域中都发挥了重要的作用。 首先，IXBT6N170采用了IXYS公司独特的IXBT结构，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该器件的额定电压为1700V，电流容量为12A，功耗为75W，这使得它在高电压和大电流的应用场景中具有显著的优势。 在技术方面，IXBT6N170采用了先进的表面处理技术和合金技术，以提高其可靠
标题：Infineon(IR) IKZA40N120CS7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA40N120CS7XKSA1功率半导体器件，以其卓越的性能和可靠性，成为了工业14领域中的重要一员。 IKZA40N120CS7XKSA1是一款高性能的功率MOSFET，其工作频率高，开关速度快，且具有较高的输入阻抗，使得其在各种严酷的工作环境下仍能保持良好的性能。这款器件采用了
标题：IXYS艾赛斯IXYA20N120A4HV功率半导体DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2的应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYA20N120A4HV功率半导体DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2作为一种关键的功率电子元件，在许多现代设备中发挥着不可或缺的作用。本文将深入探讨IXYS艾赛斯IXYA20N120A4HV功率半导体的技术特点和应用方案。 IXYS艾赛斯IXYA20N120A4HV
标题：Infineon(IR) IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体：技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体在工业、交通、能源等领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体，以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了业界的焦点。本文将深入探讨Infineon(IR)IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体的技术特点和方案应用。 首先，让我们关注IKZA75N65EH7XKSA1的技术特点。这款功率半导体采用了先进的沟槽N-MOS技
标题：IXYS艾赛斯IXGH48N60B3D1功率半导体IGBT 600V 300W TO247的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业、交通、通信和家电等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXGH48N60B3D1功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件，在各种应用中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍IXGH48N60B3D1的特性和应用方案。 首先，我们来了解一下IXGH48N60B3D1的基本参数。这款IGBT的额定电压为600V，最大输出功率为300W。
标题：Infineon(IR) IKZA40N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。作为全球领先的半导体公司之一，Infineon(IR)公司推出的IKZA40N120CH7XKSA1功率半导体器件，以其卓越的性能和稳定性，受到了广大用户的青睐。 IKZA40N120CH7XKSA1是一款高性能的功率MOSFET器件，其工作电压范围广，能够在-40至175摄氏度的温度范围内保持良好的性能。此外，